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Product laser

產(chǎn)品中心
IGBT/SiC激光退火設(shè)備
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
精確的單/雙脈沖控制,對(duì)離子注入后的硅基IGBT圓片背面進(jìn)行激光快速退火,實(shí)現(xiàn)激活深度,有效修復(fù)離子注入破壞的晶格結(jié)構(gòu)。
產(chǎn)品特點(diǎn)

激活深度≥7μm

單位小時(shí)產(chǎn)出>25 @8"

優(yōu)異的方阻均勻性和表面顏色

完整的全程監(jiān)控反饋能力

支持超薄片、TAIKO片、翹曲片退火

具備激光輔助加熱系統(tǒng)

應(yīng)用領(lǐng)域
標(biāo)準(zhǔn)晶圓、平邊晶圓、Notch晶圓、Taiko晶圓
技術(shù)指標(biāo)
設(shè)備型號(hào) DR-S-LA200S DR-S-LA300S DR-S-LA200D DR-S-LA300D
適用晶圓尺寸 6/8寸兼容 8/12寸兼容 6/8寸兼容 8/12寸兼容
激光能量密度 ≥5J/cm2 ≥5J/cm2 ≥5J/cm2 ≥5J/cm2
激光穩(wěn)定性 ≤ 2%,RMS
激活率 ≥95% @B Implant,≥90% @P Implant
均勻性 片內(nèi):≤1%,片間:≤1%,@8",RS
潔凈度控制 ≤30 @ 0.5μm,≤5 @ 1μm
自動(dòng)傳片系統(tǒng) 雙晶圓裝載口、多關(guān)節(jié)機(jī)器手、預(yù)準(zhǔn)直器
應(yīng)用案例